銦鎵鋅氧薄膜電晶體在氧氣下穩定度及熱載子壓下的研究
碩士 === 國立清華大學 === 電子工程研究所 === 99 === 在第一部分實驗中，我們要觀察IGZO-TFT在氧氣環境下的正反掃電容表現。 實驗結果發現:氧氣吸附在被通道是造成正反掃電容窗口的原因。 當氧氣分壓越大，正反掃電容的窗口將會越大。 在第二部分實驗中，我們要觀察IGZO-TFT真空下在傳統熱載子偏壓下的影響。 而實驗結果發現:1.熱載子的衝擊後會再靠近汲極端產生表面缺陷，該缺陷的生成位置在能帶中為費米能階底下的近似施體位階所提供。2.熱載子衝擊也會造成電子被缺陷補獲於閘極氧化層中。費米能階底下的近似施體位階將會導致電容值在關閉狀態下的抬昇。而電子被缺陷補獲於閘極氧化層中會導...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2011
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/90009331231934416837 |