Epitaxial Growth, Fundamental Properties, and Device Applications of III-Nitride Semiconductor Nanorods
博士 === 國立清華大學 === 物理學系 === 99 === 本論文討論以在矽基板上利用分子束磊晶成長法應用於三族氮化物(氮化鎵、氮化銦鎵)奈米柱材料之成長。並對其結構以及光學性質做詳細的分析與討論，並以實際元件來說明此材料之發展潛力。 矽基板相較於其它基板(例如： 氧化鋁、碳化矽)擁有與價格便宜之優勢，適合大面積成長，且易與IC製程整合。利用分子束磊晶所成長出的三族氮化物奈米柱呈垂直於基板的排列，且每一奈米柱皆為無應力之單晶結構，依據螢光光譜量測，氮化鎵奈米柱具有激子的發光特性且有很好的發光效率。確定了氮化鎵奈米柱之優良特性後，我們利用此結構當作模板，並且成功地在上面成長出涵蓋全可見光...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2010
|
| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/71444067793267328465 |