Study of InGaZnO Nanocrystals for Nonvolatile Memory applications
碩士 === 國立清華大學 === 工程與系統科學系 === 98 === 非晶相銦鎵鋅氧化物(Amorphous InGaZnO: a-IGZO)已被受到矚目，由於它具有可低溫沉積、高透光性、可撓曲、及均勻度佳。作為主動層(Active layer)的薄膜電晶體(Thin Film Transistors: TFTs)它的載子遷移率與可靠度比傳統氫化非晶矽薄膜電晶體(a-Si:H TFT)高、以及均勻性優於低溫複晶矽薄膜電晶體(Low Temperature Polycrystalline Silicon TFT: LTPS TFT)並可以低溫下製作，因此a-IGZO薄膜電晶體具有取代氫化非...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | en_US |
| Published: |
2010
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/63148488744298260456 |