Magnetic and Resistive Switching in MgO-based Devices for Nonvolatile Memory Applications

博士 === 國立清華大學 === 材料科學工程學系 === 98 === 論文摘要 (ABSTRACT IN CHINESE) 近年來,新世代非揮發性記憶體應用於新穎儲存科技之研究與發展受到與日俱增的重視,其中主要包括了磁阻式記憶體、電阻式記憶體、鐵電式記憶體以及相變式記憶體。本論文主要為探討氧化鎂型元件應用於磁阻式記憶體以及電阻式記憶體之研究。此外,磁阻式記憶體當中不可或缺的鐵磁/反鐵磁交換異向性亦是本論文研究之重點。 本論文的第一部分為探討(002)銥錳/鈷鐵磊晶系統之交換異向性與其熱穩定性。此(002)銥錳/鈷鐵磊晶系統在磁滯曲線量測上展現出獨特之雙偏移特徵。當我們把具有較薄銥錳厚度...

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Bibliographic Details
Main Authors: Huang, Hsin-Hung, 黃鑫泓
Other Authors: Lai, Chih-Huang
Format: Others
Language:en_US
Online Access:http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/28335919242549566628