The study of fabrication of surface acoustic wave devices on GaN based substrates
碩士 === 國立中央大學 === 光電科學研究所 === 90 === 論文摘要 本論文的研究內容為使用氮化鎵（GaN）做為基板材料，並以射頻式反應性濺鍍法（RF reactive sputtering）濺鍍氧化鋅（ZnO）壓電薄膜（Piezoelectric film）於氮化鎵基板上，再製作指叉狀電極轉換器（Interdigital transducer）於濺鍍出之基板上，以製作出的表面聲波元件（Surface acoustic wave device）來研究表面聲波在氮化鎵與氧化鋅所構成的壓電材料基板上所呈現出的特性。 首先我們使用濺鍍機（Sputter）將氧化鋅薄膜濺鍍於氮化鎵基板上，...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
2002
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/94320713889609293551 |