Study of low-temperature PECVD of silicon on porous silicon substrates

• Main Authors: Chan, Jwo-Hsun, 詹卓勳
• Other Authors: Klaus Y. J. Hsu
• Format: Others
• Language: zh-TW
• Published: 1997
• Online Access: http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/30238723873997676173

碩士 === 國立清華大學 === 電機工程學系 === 85 === SOI結構的元件具有低漏電流，較好的特性以及不易受輻射影響，所 以SOI的基板，在下一代ULSI製程中佔有相當重要的地位。但是它最大的 缺點在於SOI的基板價格過高，因此許多的研究單位不斷的在尋找成本低 ，而且又能製備SOI基板的方法，多孔矽就是其中材料的一種。多孔矽不 但具有單晶的結構，而且又容易氧化形成絕緣層，如果能把多孔矽當成介 面，就可以在二氧化矽上成長出單晶了，而形成SOI的結構。 對於多孔矽的微觀結構，我們已能藉由氫氟酸的濃度、晶片的摻雜濃度以 及電流的大小，適當的配合而加以控制，同時也能順利的經由改變摻質濃 度而獲得我們所想要的多層多孔矽形態，其表層的多孔矽顆粒大、底層的 多孔矽顆粒較小，使得容易控制底部氧化層的成長。 多孔矽上的低溫 磊晶方面，我們以300℃的PECVD能在P- type多孔矽 和P+ type多孔矽上 ，成長出和在矽晶片上相同的多晶質，同時也由高解析TEM發現磊晶層的 晶格大小會因退火溫度的增高而改善。