Study of low-temperature PECVD of silicon on porous silicon substrates
碩士 === 國立清華大學 === 電機工程學系 === 85 === SOI結構的元件具有低漏電流，較好的特性以及不易受輻射影響，所 以SOI的基板，在下一代ULSI製程中佔有相當重要的地位。但是它最大的 缺點在於SOI的基板價格過高，因此許多的研究單位不斷的在尋找成本低 ，而且又能製備SOI基板的方法，多孔矽就是其中材料的一種。多孔矽不 但具有單晶的結構，而且又容易氧化形成絕緣層，如果能把多孔矽當成介 面...
| Main Authors: | , |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | zh-TW |
| Published: |
1997
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| Online Access: | http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/30238723873997676173 |