應用高斯鬆弛法研究銻化銦在（１１０）表面能態密度及虛擬位能法研究半導體能帶結構

應用高斯鬆弛法研究銻化銦在（１１０）表面能態密度及虛擬位能法研究半導體能帶結構

碩士 === 國立清華大學 === 電機工程研究所 === 77 ===

Bibliographic Details
Main Authors:	GIU, LING-YUN, 邱凌雲
Other Authors:	LIN, SHU-YA
Format:	Others
Language:	zh-TW
Published:	1989
Online Access:	http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/63076134708514715264

Internet

http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/63076134708514715264