Surface passivation of crystalline silicon by amorphous silicon carbide films for photovoltaic applications

En aquesta tesi s'estudia la passivació del silici cristal·lí per a la producció de cèl·lules solars d'alta eficiència (> 20%) a baix preu.Actualment la indústria fotovoltaica empra capes de nitrur de silici crescut mitjançant la tècnica PECVD. Com a alternativa, es presenta el carbur d...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Ferré Tomàs, Rafel
Other Authors: Vetter, Michael
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Universitat Politècnica de Catalunya 2008
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/10803/6350
http://nbn-resolving.de/urn:isbn:9788469141199