Study and Modeling of Multi‐ Gate Transistors in the Context of CMOS Technology Scaling
L’escalat dels transistors MOSFET convencionals ha portat a aquests dispositius a la nanoescala per incrementar tant les seves prestacions com el nombre de components per xip. En aquest process d’escalat, els coneguts “Short Channel Effects” representen una forta limitació. La forma més efectiva de...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Doctoral Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
Universitat Autònoma de Barcelona
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10803/96232 http://nbn-resolving.de/urn:isbn:9788449030970 |