Integration of ferrimagnetic CoFe2O4 epitaxial films with silicon
El continuo progreso en microelectrónica se debe al crecimiento exponencial con el tiempo del número de transistores por circuito integrado, dependencia conocida como ley de Moore. Esta ley se sigue cumpliendo, pero se va acercando a límites intrínsecos. Por ello ha emergido la alternativa “More tan...
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Format: | Doctoral Thesis |
Language: | English |
Published: |
Universitat Autònoma de Barcelona
2013
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Subjects: | |
Online Access: | http://hdl.handle.net/10803/129162 http://nbn-resolving.de/urn:isbn:9788449041853 |