Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS

El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependen...

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Main Author:	Prado Saldaña, Víctor Zacarías
Format:	Others
Language:	Spanish
Published:	Pontificia Universidad Católica del Perú 2011
Subjects:	Biosensores Detectores químicos Semiconductores SPICE (Programas para computadoras) Transistores de efecto de campo
Online Access:	http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/225

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spelling	ndltd-PUCP-oai-tesis.pucp.edu.pe-123456789-2252019-02-21T16:17:49Z Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS Prado Saldaña, Víctor Zacarías Biosensores Detectores químicos Semiconductores SPICE (Programas para computadoras) Transistores de efecto de campo El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares. Tesis 2011-05-09T07:23:26Z 2011-05-09T07:23:26Z 2008 2011-05-09 info:eu-repo/semantics/bachelorThesis http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/225 spa Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Perú info:eu-repo/semantics/openAccess http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/ application/pdf Pontificia Universidad Católica del Perú Pontificia Universidad Católica del Perú Repositorio de Tesis - PUCP
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description	El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependencias entre las variaciones tales como corriente de drenador respecto a variaciones del voltaje umbral. Además, esta comprobación se realizará considerando los valores de los parámetros de fabricación que ha generado el fabricante de los ISFETs y asumiendo valores intrínsecos de este dispositivo y siempre observando lo que sucede con los MOSFETs en situaciones similares. === Tesis
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Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS

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