Análisis y comprobación del comportamiento de los transistores de efecto de campo sensibles a iones respecto a los MOSFETS
El objetivo del presente trabajo es analizar y comprobar el comportamiento de los ISFETs respecto a los MOSFETs. Para lograr lo anterior se utilizarán técnicas modernas de simulación y ensayos en laboratorio; de esta forma se podrá observar las similitudes y diferencias de comportamiento, y dependen...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Others |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Pontificia Universidad Católica del Perú
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://tesis.pucp.edu.pe/repositorio/handle/123456789/225 |