Dynamique de recombinaison dans les puits quantiques InGaN/GaN
Nous étudions la recombinaison radiative des porteurs de charges photogénérés dans les puits quantiques InGaN/GaN étroits (2 nm). Nous caractérisons le comportement de la photoluminescence face aux différentes conditions expérimentales telles la température, l'énergie et la puissance de l'...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | fr |
| Published: |
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/1866/3934 |