Estabilização de filmes finos de óxido de germânio por incorporação de nitrogênio visando aplicações em nanoeletrônica

De maneira a melhorar o desempenho de um Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET), o germânio (Ge) é um forte candidato para substituir o silício (Si) como semicondutor, devido a sua alta mobilidade dos portadores de carga. Contudo, o filme de dióxido de germânio (GeO2) sobre...

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Bibliographic Details
Main Author: Kaufmann, Ivan Rodrigo
Other Authors: Soares, Gabriel Vieira
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2013
Subjects:
RBS
NRA
NRP
XPS
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/83676