Síntese por feixe de íons de GaN-layer sobre GaAs
O Nitreto de Gálio (GaN) é um semicondutor de gap direto, motivo de numerosas pesquisas científicas, principalmente devido a sua importância na fabricação de dispositivos de alta potência e optoeletrônicas. Ligas de GaN como InGaN e AlGaN, por exemplo, possibilitam a fabricação de LEDs e LASERs azui...
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| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2018
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/181012 |