Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de Pb1-x Snx Te utilizando a técnica de epitaxia a partir a da fase líquida LPE

• Main Author: Eduardo Abramof
• Other Authors: Irajá Newton Bandeira
• Language: Portuguese
• Published: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE) 1986
• Online Access: http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.25

São descritas todas as etapas de fabricação dos lasers, desde o crescimento do monocristal ate a caracterização do dispositivo. A tecnica LPE e utilizada para a formação da junção p-n. São fabricados lasers de PbTe com as seguintes estruturas: p+-n e p+-n-nf. A caracterização do dispositivo a 80K inclui: curva ixV, curva I L xie espectro emitido. Os lasers apresentam densidades de corrente limiar na faixa de 2.5-10 KA/cm 2 e pico de emissão em 5.8 wm. Vários problemas no processo de fabricação e na montagem do laser le vam a degradação do dispositivo depois de um certo tempo de uso. === Ali the Steps in the lasers fabrication- are described, since the single crystal growth until the characterization of the device. The LPE technique is applied to the formation of the p-n junction. PbTe lasers are fabricated with the following structures: p+-n and p+-n-n+. The device characterization at 80K includes: bn7 curve, ILXÍ curve and spectral emission. The threshold current density of the lasers is in the range of 2.5 KA/cm2 and the peack emission in 5.8 gm. -Many problems in the fabrication process and in the mounting package of the laser lead do degradation of the device after a time or usage.