Fabricação e caracterização de lasers semicondutores de Pb1-x Snx Te utilizando a técnica de epitaxia a partir a da fase líquida LPE
São descritas todas as etapas de fabricação dos lasers, desde o crescimento do monocristal ate a caracterização do dispositivo. A tecnica LPE e utilizada para a formação da junção p-n. São fabricados lasers de PbTe com as seguintes estruturas: p+-n e p+-n-nf. A caracterização do dispositivo a 80K in...
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
1986
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| Online Access: | http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/11.28.18.25 |