Propriedades de filmes finos do isolante topológico telureto de bismuto crescidos por epitaxia de feixe molecular
Neste trabalho foram crescidos e investigados, do ponto de vista estrutural e elétrico, filmes finos de telureto de bismuto crescidos sobre substratos de BaF2 (111). A primeira etapa deste trabalho consistiu na otimização dos parâmetros de crescimento por epitaxia de feixe molecular. Para isto, inve...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
2017
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| Online Access: | http://urlib.net/sid.inpe.br/mtc-m21b/2017/02.03.15.34 |