Efeitos da radiação em transistores túnel-FET de porta tripla.
Frente à crescente necessidade de que novas tecnologias sejam capazes de operar com confiabilidade em ambientes hostis, a análise dos efeitos da radiação ionizante em dispositivos semicondutores se tornou um ramo de pesquisa em contínua ascensão, contribuindo para o desenvolvimento de tecnologia...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2018
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-28082018-151322/ |