Simulação e caracterização de diodos controlados por porta visando a fabricação de sensoress de radiação luminosa.
O presente trabalho faz inicialmente uma revisão básica a respeito de diodos controlados por porta ressaltando o método criado por Grove, e corrigido por Pierret, para a determinação da velocidade de recombinação superficial, parâmetro esse, importante na análise do desempenho do dispositivo fre...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2000
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-26072017-151052/ |