Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM).
Este trabalho teve como objetivo principal a fabricação de fotodetetores do tipo Metal-Semicondutor-Metal (MSM) com corrente de escuro da ordem de 1 nA, responsividade da ordem de 0,1 A/W e razão fotocorrente/corrente de escuro de pelo menos 10. Estes valores asseguram que os fotodetetores obtid...
| Main Author: | |
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2006
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-22072007-172649/ |