Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS.
Este trabalho apresenta o estudo do desempenho analógico do transistor SOI MOSFET com tensão de limiar dinamicamente variável (DTMOS). Esse dispositivo é fabricado em tecnologia SOI parcialmente depletado (PD). A tensão de limiar desta estrutura varia dinamicamente porque a porta do transis...
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2009
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/ |