Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS.

Análise dos parâmetros analógicos do dispositivo SOI DTMOS.

Este trabalho apresenta o estudo do desempenho analógico do transistor SOI MOSFET com tensão de limiar dinamicamente variável (DTMOS). Esse dispositivo é fabricado em tecnologia SOI parcialmente depletado (PD). A tensão de limiar desta estrutura varia dinamicamente porque a porta do transis...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Jefferson Oliveira Amaro
Other Authors: João Antonio Martino
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2009
Subjects:
Circuitos analógicos
Circuitos integrados MOS
Dispositivos eletrônicos
Medidas elétricas
Microeletrônica
Transistores (modelagem)
DTMOS
Electrical characterization
Intrinsic gain DC
PDSOI
SOI
Two-dimensional simulation
Unit-gain frequency
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/

Internet

http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-20072009-172635/

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