Estudo de transistores de porta tripla de corpo.

O objetivo principal deste trabalho é o estudo de transistores MuGFETs de porta tripla de Corpo de canal tipo-n com e sem a aplicação da configuração DTMOS. Este estudo será realizado através de simulações numéricas tridimensionais e por caracterizações elétricas. A corrente de dreno, a transcon...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Maria Glória Caño de Andrade
Other Authors: João Antonio Martino
Language:Portuguese
Published: Universidade de São Paulo 2012
Subjects:
Online Access:http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-10062013-150025/