ESTRUTURA ELETRONICA DE IMPUREZAS ISOLADAS DE BORO E DOS PARES DE IMPUREZAS BORO-SILICIO E METAL DE TRANSICAO-VACANCIA EM CRISTAL DE GaAs
Apresentamos aqui resultados de propriedades eletrônicas relacionadas à defeitos complexos em GaAs. Os cálculos autoconsistentes da estrutura eletrônica foram feitos usando o método do espalhamento múltiplo X a junto com o modelo do aglomerado molecular e com os orbitais de superfície saturados...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1996
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-06062017-150805/ |