Correlação eletrônica em semicondutores III-V dopados com metais de transição
Realizamos um estudo sistematico de impurezas de metal de transicao das series 3d, 4d e 5d em semicondutores iii-v atraves do modelo de aglomerados moleculares utilizando duas tecnicas de campo medio diferentes: espalhamento multiplo-xALFA e a aproximacao semiempirica indo. Efeito de muitos-elet...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
1990
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43133/tde-05122013-171344/ |