Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Este trabalho apresenta o estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo, denominados TFETs. Foram realizadas análises com base em explicações teóricas, simulações numéricas e medidas experimentais para demonstrar a viabilidade do uso desta tecnologia em blocos de circuito...
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| Other Authors: | |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2017
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-05032018-110248/ |