Estudo, caracterização elétrica e modelagem de transistores BE (Back Enhanced) SOI MOSFET.
Este trabalho tem como objetivo o estudo, caracterização elétrica e modelagem do novo transistor desenvolvido e fabricado no Laboratório de Sistemas Integráveis (LSI) da Universidade de São Paulo (USP) chamado BE (Back Enhanced) SOI MOSFET. Trata-se de um dispositivo inovador que se destaca prin...
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| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade de São Paulo
2018
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| Online Access: | http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/3/3140/tde-04052018-150633/ |