| Summary: | Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1
441953.pdf: 3874457 bytes, checksum: 47b9d1258c5c65de4ec4b58c6e426780 (MD5)
Previous issue date: 2012-08-27 === This paper describes the growth and characterization of III-V compound semiconductors, Ga1-xInxSb lightly doped with aluminum (Al) and cadmium (Cd). The Ga1-xInxSb compound is an interesting material for the development of optical modulators, lasers operating in the mid-infrared range, multi-junction solar cell and thermophotovoltaic cell use. The methodology presents the description of the crystal growth process through Vertical Bridgman Method. The distribution of indium and dopants, analyzed by Energy Dispersive Spectroscopy, was correlated to resistivity, carrier number and mobility throughout the crystals. The change of n-type conductivity to p-type in blades of the same crystals classifies the inhomogeneous distribution of indium dopant and suggests the presence of native defects. The inhomogeneous distribution of indium in the crystals and the segregation of indium antimonide at the end of the crystal is probably linked to destabilization of the solidliquid interface during the process of crystal growth === Este trabalho descreve o crescimento e a caracteriza??o de cristais de compostos semicondutores III-V, Ga1-xInxSb levemente dopados com Alum?nio (Al) e c?dmio (Cd). O composto Ga1-xInxSb ? um material interessante para o desenvolvimento de moduladores ?pticos, lasers operando na faixa de infravermelho m?dio, multijun??es de c?lulas solares e uso em c?lulas termofotovoltaicas. A metodologia apresenta a descri??o do processo de crescimento dos cristais atrav?s do m?todo Bridgman Vertical. A distribui??o do ?ndio e dos dopantes, analisada por Espectroscopia por Dispers?o de Energia foi correlacionada com a resistividade, n?mero de portadores e mobilidade ao longo dos cristais. A mudan?a da condutividade tipo n para tipo p em l?minas do mesmo cristal classifica a distribui??o heterog?nea do ?ndio e dos dopantes e sugere a presen?a de defeitos nativos. A distribui??o n?o uniforme do ?ndio nos cristais e a segrega??o do antimoneto de ?ndio para o final do cristal provavelmente esteja vinculada a desestabilidade da interface s?lido/l?quido durante o processo de crescimento dos cristais
|
|---|
