Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

Orientador: Nelson de Jesus Parada === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-17T21:21:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Marotta_AnaMariaHildsdorf_M.pdf: 2760470 bytes, checksum: 63684d0f3c14306722eb728815eb...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Marotta, Ana Maria Hildsdorf
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1975
Subjects:
Íons
Lasers semicondutores
Relatividade (Física)
Online Access:MAROTTA, Ana Maria Hildsdorf. Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende: aplicação ao InSb. 1975. 76 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278571>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278571

Internet

MAROTTA, Ana Maria Hildsdorf. Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende: aplicação ao InSb. 1975. 76 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278571>. Acesso em: 17 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278571

Similar Items