Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE

Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE

Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-13T22:18:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 CamiloJunior_Alexandre_M.pdf: 1569599 bytes, checksum: 94e0ff89ffcb82462b54...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Camilo Junior, Alexandre
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1990
Subjects:
Semicondutores
Lasers
Online Access:CAMILO JUNIOR, Alexandre. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE. 1990. [99] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278447>. Acesso em: 13 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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CAMILO JUNIOR, Alexandre. Crescimento e caracterização de InP/InP crescido por epitaxia química em vácuo VCE. 1990. [99] f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/278447>. Acesso em: 13 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/278447

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