Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio

Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE : O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio

Orientador: Eliermes Arraes Meneses === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-22T07:16:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Laureto_Edson_M.pdf: 1882201 bytes, checksum: 02ecede7696462a8e369cb130074e049 (MD5)...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Laureto, Edson
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1995
Subjects:
Semicondutores
Fosfeto de índio
Fotoluminescência
Online Access:LAURETO, Edson. Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE: O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio. 1995. 71f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277745>. Acesso em: 22 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277745

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LAURETO, Edson. Estudo das propriedades óticas do InP crescido por CBE: O efeito da impureza isoeletrônica de arsênio. 1995. 71f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277745>. Acesso em: 22 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277745

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