Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge

Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge

Orientador: Fernando Cerdeira === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin === Made available in DSpace on 2018-07-20T17:20:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_MarcosAntonioAraujo_D.pdf: 2541195 bytes, checksum: 3f6719299d5a08183c7b43e174b72215 (MD5)...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Silva, Marcos Antonio Araujo
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1995
Subjects:
Semicondutores
Germânio
Silício
Online Access:SILVA, Marcos Antonio Araujo. Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge. 1995. 85 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277744>. Acesso em: 20 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277744

Internet

SILVA, Marcos Antonio Araujo. Espalhamento Raman em heteroestruturas semicondutoras de Si/Ge. 1995. 85 p. Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/277744>. Acesso em: 20 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/277744

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