Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes

• Main Author: Takeuti, Douglas de Freitas
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1992
• Subjects: Microeletrônica; Engenharia elétrica
• Online Access: TAKEUTI, Douglas de Freitas. Estudo do comportamento termodinamico de dispositivos MOS submetidos a radiações ionizantes. 1992. [109]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261358>. Acesso em: 14 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261358

Orientador : Edmundo da Silva Braga === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-14T04:19:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Takeuti_DouglasdeFreitas_M.pdf: 6264981 bytes, checksum: caefffe7e4c66b3d55cacbb8f8d9e1ca (MD5) Previous issue date: 1992 === Resumo: Estudamos o comportamento de capacitores Metal-Óxido-Semicondutor (MOS, aluminio-Si02-Si) após irradiação por raios-X (CU K-a ) e seu posterior tratamento térmico na faixa de temperatura (350 - 450)oC. Os óxidos foram crescidos termicamente, em ambiente de 02+TCE, sobre substratos Si(100), tipos-n e p, com concentrações de dopantes da ordem NaD¿10 9 cm -2 , espessura tox=100nm,área A=500x500 µ2. Apresentaram densidade de cargas móveis de NmD¿5.10cm -3 (medida a 205oC), densidade de cargas fixas de Nf 1.1010cm-2 e densidade de cargas capturadas na interface de Dit ¿ 4.10 10cm-2 eV-1(caracterização feita por técnicas C-V quase estática-QSCV, alta freqüência-HFCV e de varredura triangular em tensão-TVS). A irradiação dos dispositivos provocou alta densidade de estados de interface (Dit=5.10 cm eV-1 ), em contraste com baixa densidade de cargas capturadas no óxido (Not ¿ 4.10 10cm-2) . Os recozimentos foram feitos em etapas sucessivas, com atmosfera de N2, usando fornos convencionais e de processamento rápido e indicam que o tempo de recozimento dos defeitos induzidos é da ordem de 5 minutos a 420 oC. Para tempos maiores, observou-se aumento de Dit e a criação de histereses nas curvas HFCV === Abstract: Not informed. === Mestrado === Mestre em Engenharia Elétrica