Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

• Main Author: Kobayashi, Susumu
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1987
• Subjects: Epitaxia; Silício - Propriedades elétricas
• Online Access: KOBAYASHI, Susumu. Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio. 1987. 125 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261321>. Acesso em: 16 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261321

Orientador: Carlos I. Z. Mammana === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-16T17:48:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kobayashi_Susumu_M.pdf: 7239996 bytes, checksum: a7491b3d5a229cace248c360120bfc61 (MD5) Previous issue date: 1987 === Resumo: Foi desenvolvido um sistema de crescimento epitaxial de silício que opera com tetracloreto de silício. O sistema foi inteiramente projetado e construído no Laboratório de Eletrônica e Dispositivos, tendo como objetivos principais a obtenção de camadas epitaxias de silício em substratos de 2,5 polegadas, aquecidos por efeito Joule em um susceptor de grafite, a temperaturas na faixa de 1150 a 1250 graus Celsius. O sistema se baseia na reação do 'Si¿¿Cl IND. 4¿ com hidrogênio que é introduzido na câmara; depois de purificado. Os gases dopantes são a fosfina a diborana e o tricloreto de fósforo de forma a se poder obter camadas dopadas tipos N ou P. O projeto foi efetuado buscando-se utilizar preferencialmente materiais disponíveis no mercado local, e todo o desenho foi efetuado buscando-se garantir a segurança do operador tendo em vista que os gases utilizados são altamente tóxicos e explosivos. O sistema, na sua forma final, mostrou-se versátil, seguro e de fácil operação, permitindo a obtenção de camadas epitaxiais de silício, com condições de temperatura na faixa de 1100 a 1350 graus Celsius, taxa de crescimento de 0,14 a 1,10 micra/min, para a vazão de hidrogênio de 9,2 litros por minuto e vazão de tetracloreto de silício com hidrogênio de 790 mililitros por minuto ... Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital === Mestrado === Mestre em Engenharia Elétrica