Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio

Orientador: Carlos I. Z. Mammana === Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-16T17:48:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Kobayashi_Susumu_M.pdf: 7239996 bytes, checksum: a7491b3d5a229cace248c360120bfc61 (MD5)...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Kobayashi, Susumu
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1987
Subjects:
Epitaxia
Silício - Propriedades elétricas
Online Access:KOBAYASHI, Susumu. Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio. 1987. 125 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261321>. Acesso em: 16 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261321

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KOBAYASHI, Susumu. Desenvolvimento de um sistema de crescimento epitaxial de silicio por redução de tetracloreto de silicio. 1987. 125 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261321>. Acesso em: 16 jul. 2018.
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