Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar

• Main Author: Tatsch, Peter Jürgen, 1949-
• Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: [s.n.] 1988
• Subjects: Circuitos integrados; Silício - Oxidação
• Online Access: TATSCH, Peter Jürgen. Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar. 1988. 1v.(varias paginações). Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260389>. Acesso em: 16 jul. 2018.; http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260389

Orientador : Edmundo da Silva Braga === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-16T17:45:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tatsch_PeterJurgen_D.pdf: 5603453 bytes, checksum: 40261195b8c66f7bce35d36b326f4359 (MD5) Previous issue date: 1988 === Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo da viabilidade da oxidação do silício por plasma, em reator planar, como prcesso de baixa temperatura para a fabricação de circuitos integrados. No capítulo inicial coloca-se o contexto do trabalho assim como a sua proposiçao. No segundo capítulo apresenta-se uma descrição concisa da fenomenologia e do rnodelamento atinentes ao plasma utilizados no desenvolvimento do trabalho. No terceiro capítulo descreve-se sinteticamente a estrutura do sistema silício-dióxido de silício. O quarto capítulo versa sobre o projeto do reator planar utilizado e sobre os procedimentos experimentais aplicados na , preparação das amostras e na sua caracterização. As amostras foram oxidadas em plasmas de oxigênio e misturas de oxigênio e tetracloreto de carbono. O plasma foi analisado por espectrometria óptica e os filmes de óxido foram estudados através de medidas C-V de alta frequência, elipsometria e taxa de corrosão em reagente P. No último capítulo apresentam-se os resultados experimentais e sua análise. Obtiveram-se densidades efetivas de carga na faixa de 10 11 cm-2 e taxas de oxidação entre 0,4 nm min-l e 1,3 nm min-l, fortemente dependentes das condições do plasma. As medidas de espectrometria óptica mostram que o oxigênio atômico é a espécie principal envolvida no mecanismo da oxidação === Abstract: Not informed. === Doutorado === Doutor em Engenharia Elétrica