Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar

Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar

Orientador : Edmundo da Silva Braga === Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica === Made available in DSpace on 2018-07-16T17:45:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tatsch_PeterJurgen_D.pdf: 5603453 bytes, checksum: 40261195b8c66f7bce35d36b326f4359 (MD5)...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Tatsch, Peter Jürgen, 1949-
Other Authors: UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Format: Others
Language:Portuguese
Published: [s.n.] 1988
Subjects:
Circuitos integrados
Silício - Oxidação
Online Access:TATSCH, Peter Jürgen. Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar. 1988. 1v.(varias paginações). Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260389>. Acesso em: 16 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260389

Internet

TATSCH, Peter Jürgen. Estudo da viabilidade da oxidação do silicio por plasma em reator planar. 1988. 1v.(varias paginações). Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/260389>. Acesso em: 16 jul. 2018.
http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/260389

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