Um modelo eficiente do transistor MOS para o projeto de circuitos VLSI

• Main Author: Siebel, Osmar Franca
• Other Authors: Universidade Federal de Santa Catarina
• Format: Others
• Language: Portuguese
• Published: Florianópolis, SC 2012
• Subjects: Engenharia eletrica; Transistores de efeito de campo de semicondutores de oxido metalico; Transistores; Circuitos integrados
• Online Access: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89819

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. === Made available in DSpace on 2012-10-23T03:04:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 240180.pdf: 1418776 bytes, checksum: 2b4bd2ea7efed74b9ba724cc2374cdbb (MD5) === Neste trabalho é detalhada a implementação do modelo ACM do transistor MOS no simulador elétrico ELDO (Mentor Graphics). O código foi escrito em linguagem C utilizando a ferramenta UDM (User Definable Model). A carga de inversão é calculada a partir da equação de carga UCCM utilizando um algoritmo que resolve esta equação com apenas uma iteração e com um erro relativo menor do que 10-7. Através de simulações, o modelo implementado foi confrontado com os demais modelos da nova geração (HiSIM, EKV, BSIM5, SP, MM1 e PSP) tanto no que diz respeito à sua qualidade (simetria, cargas e parâmetros de pequenos sinais) como também no que diz respeito à velocidade da simulação. Os resultados mostram que o modelo ACM é uma poderosa e útil ferramenta para simulação e projeto à mão, pois é constituído por equações compactas e precisas, além de possuir um número reduzido de parâmetros.