Um modelo eficiente do transistor MOS para o projeto de circuitos VLSI

Um modelo eficiente do transistor MOS para o projeto de circuitos VLSI

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. === Made available in DSpace on 2012-10-23T03:04:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 240180.pdf: 1418776 bytes, checksum: 2b4bd2ea7efed74b9ba724cc2374cdbb (MD5) === Nest...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Siebel, Osmar Franca
Other Authors: Universidade Federal de Santa Catarina
Format: Others
Language:Portuguese
Published: Florianópolis, SC 2012
Subjects:
Engenharia eletrica
Transistores de efeito de campo de semicondutores de oxido metalico
Transistores
Circuitos integrados
Online Access:http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89819

Internet

http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/89819

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