Fotoluminescência de nitreto de silício não estequiométrico depositado por sputtering reativo
Nanoestruturas de silício incorporadas em matrizes dielétricas são promissoras para aplicação em dispositivos optoeletrônicos. Neste trabalho, estudamos a influência dos diferentes parâmetros de deposição para filmes de nitreto de silício não estequiométricos obtidos pela técnica de deposição por pu...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/54880 |