Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS

Metodologia determinística para simulação elétrica do impacto de BTI em circuitos MOS

Show other versions (2)

Aborda-se, nesse trabalho, o fenômeno de envelhecimento de transistores MOS por bias temperature instability (BTI), relevante fator de degradação da confiabilidade e de redução do tempo de vida de circuitos integrados CMOS. Uma nova modelagem matemática determinística para BTI é introduzida, proporc...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Furtado, Gabriela Firpo
Other Authors: Wirth, Gilson Inacio
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2017
Subjects:
Circuitos integrados
Cmos
Simulação elétrica
Bias temperature instability
Logic gates
Propagation delay
Single event transient
Propagation induced pulse broadening
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/165167

Internet

http://hdl.handle.net/10183/165167

Similar Items