Segregação de índio em cristais Ga1-xInxSb dopados com telúrio obtidos pelo método Bridgman vertical
Os compostos semicondutores ternários, dentre eles o Ga1-xInxSb, têm sido objeto de interesse de pesquisadores e da indústria microeletrônica devido à possibilidade de ajuste da constante de rede, assim como a correspondente modificação da banda proibida de energia e do intervalo de emissão e absorç...
| Main Author: | |
|---|---|
| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/147761 |