Físico-química do hidrogênio em óxidos e silicatos de háfnio para aplicação como dielétrico de porta
Após quatro décadas de sucesso do SiO2 (e SiOxNy), as novas gerações de Transistores de Efeito de Campo Metal-Óxido-Semicondutor utilizarão dielétricos de porta de materiais alternativos, dentre os quais se destacam o óxido (HfO2) e os silicatos de háfnio (HfSixOy). Para implementar esses novos diel...
| Main Author: | |
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| Other Authors: | |
| Format: | Others |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
2008
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/12108 |