Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX

Dopagem tipo-n em estruturas SIMOX

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Foram estudadas a ativação elétrica e a redistribuição de As (dopante tipo n) implantado em SIMOX (Separation by IMplanted OXygen). Estruturas SIMOX com diferentes espessuras da camada superficial de Si e do óxido enterrado foram usadas. As implantações de As+ foram feitas com a energia de 20 keV e...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Oliveira, Roana Melina de
Other Authors: Boudinov, Henri Ivanov
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2008
Subjects:
Dopagem de semicondutores
SIMOX
Implantacao ionica
Retroespalhamento rutherford
Efeito hall
Filmes de silício
Amorfizacao
Arsênio
Recozimento
Junções rasas
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/11793

Internet

http://hdl.handle.net/10183/11793

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