Análise dos efeitos de dose total ionizante em circuitos analógicos CMOS
Este trabalho apresenta um estudo sobre o comportamento de circuitos analógicos CMOS quando sujeitos aos efeitos de dose total ionizante. Os efeitos de dose total são resultado da interação entre a radiação ionizante e as camadas dielétricas dos dispositivos semicondutores, provocando o acúmulo de c...
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Format: | Others |
Language: | Portuguese |
Published: |
2015
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Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/115557 |