Técnicas de redução de potência estática em memórias CMOS SRAM e aplicação da associação de MOSFETs tipo TST em nano-CMOS

Em nossos dias a crescente busca por portabilidade e desempenho resulta em esforços focados na maximização da duração de bateria dos equipamentos em fabricação, ou seja, busca-se a conflitante solução de circuitos com baixo consumo e ao mesmo tempo com alto desempenho. Neste contexto usualmente na c...

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Bibliographic Details
Main Author: Conrad Junior, Eduardo
Other Authors: Bampi, Sergio
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2012
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/49069