Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização
O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), o óxido de silício (SiO2), por um material alternativo com maior constant...
Main Author: | |
---|---|
Other Authors: | |
Format: | Others |
Language: | Portuguese |
Published: |
2007
|
Subjects: | |
Online Access: | http://hdl.handle.net/10183/2963 |