Filmes finos dielétricos para a tecnologia do silício : processamento térmico e caracterização

O rápido avanço tecnológico coloca a tecnologia do Si diante de um grande desafio: substituir o dielétrico de porta utilizado por mais de 40 anos em dispositivos MOSFET (transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor), o óxido de silício (SiO2), por um material alternativo com maior constant...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Rosa, Elisa Brod Oliveira da
Other Authors: Stedile, Fernanda Chiarello
Format: Others
Language:Portuguese
Published: 2007
Subjects:
Online Access:http://hdl.handle.net/10183/2963