Fabrication and characterization of graphene nanoribbons epitaxially grown on SiC(0001)

Einzelschichten von Graphen-Nanobänders (GNRs) wurden auf SiC(0001)-Substraten mit zwei unterschiedlichen Fehlschnitten bei Temperaturen von 1410 bis 1460 °C synthetisiert. Das GNR-Wachstum lässt sich bei niedriger Stufenkantenhöhe am besten durch eine exponentielle Wachstumsrate, welche mit der Ene...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Aranha Galves, Lauren
Other Authors: Riechert, Henning
Format: Doctoral Thesis
Language:English
Published: Humboldt-Universität zu Berlin 2018
Subjects:
SiC
Online Access:http://edoc.hu-berlin.de/18452/20357
http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/20357-6
http://dx.doi.org/10.18452/19587