Fabrication and characterization of graphene nanoribbons epitaxially grown on SiC(0001)
Einzelschichten von Graphen-Nanobänders (GNRs) wurden auf SiC(0001)-Substraten mit zwei unterschiedlichen Fehlschnitten bei Temperaturen von 1410 bis 1460 °C synthetisiert. Das GNR-Wachstum lässt sich bei niedriger Stufenkantenhöhe am besten durch eine exponentielle Wachstumsrate, welche mit der Ene...
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Other Authors: | |
Format: | Doctoral Thesis |
Language: | English |
Published: |
Humboldt-Universität zu Berlin
2018
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Subjects: | |
Online Access: | http://edoc.hu-berlin.de/18452/20357 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:kobv:11-110-18452/20357-6 http://dx.doi.org/10.18452/19587 |